YARIMO'TKAZGICHLARNI SOHADA QO'LLANILISHI
Keywords:
Kalit so‘zlar: Diod, tranzistor,mikroelektronikalar, elektronikalarAbstract
Annotatsiya: Yarimo’tkazgichlar va Yarimo’tkazgichlar asosida yaratiladigan
elektronikalar, mikroelektronikalar, asboblar va mikrosxemalar va hokazo elementlari
bo'yicha mutaxassislarga talab oshib bormoqda. Yuqorida keltirilgan yarimo’tkazgich
asboblari “qanday tuzilishga ega?” degan savol qiziqtirishi tabiiy hol, ular quyidagicha.
Yarimo’tkazgich asboblar – yarimo'tkazgichlarda yuz beradigan elektron asboblar.
Elektronikada esa turli signallarni o'zgartirishda, energetikada bir turdagi energiyalarni
boshqa turdagi energiyaga aylantirishga ishlatiladi. Ishlash prinspi, vazifasi, tuzilishi,
texnologiyasi va materiali ishlatilish sohasiga qarab tasniflanadi. Elektr kattaliklarni
boshqa yani ikkinchi tur elektr kattaliklarga o'zgartiradigan elektr o'zgartirgich
asboblar diod, tranzistor, tiristor va boshqalar.Hozirda zamonaviy elektronika
elementlaridan foydalanilmaydigan alohida insoniyat sohasini topish qiyin. Ular
telemexanikada, radiotexnologiya va elektron hisoblash va hokazolarda keng
qo'llaniladi. Quyosh energiyasini elektr energiyasiga aylantirish kabi yirik jarayonlari
uchun qo'llaniladi.
References
Foydalanilgan adabiyotlar ro‘yxati:
Zaynobiddinov S.Z., Teshabaev A. Ermatov Sh. Qattiq jism fizikasi.
Атакулов, Ш. Б., Зайнолобидинова, С. М., Отажонов, С. М. Тухтаматов,
О. А. (2010). Особенности рассеяния носителейтока межкристаллитными
потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными
состояниями в поликристаллических полупроводниках. Физическая
инженерия поверхности.
Атакулов Ш., Отажонов С., Набиев Г., С.Зайнолобидинова. К теории
аномальных фотоэлектрического и фотомагнитного эффектов в
полупроводниковых пленках.// Узбекский физический журнал
Атакулов Ш., Отажонов С., Тўхтаматов О., Зайнолобидинова С.
Прозрачность потенциалтного барьера на границах зерен в поликристаллах
полупроводников. // Узбекский физический журнал, 2011, №5-(13).-С.334-339.
