YARIM ÓTKIZGISHLERDEGI P-N KERI ÓTIWINDEGI TOK AǴIMINIŃ ARTIWIN ANALIZLEW
Abstract
Berilgen tok aǵımınıń buzılıw shártlerin qollanıp maydannıń ionizaciya koeficientiniń jaylasıwına baylanıslı buzılıw kernewin anıqlaw múmkin.maksimal elektr maydan hám birigiw oblastınıń betin anıqlaw múmkin. Elektr maydan hám birigiw qatlamı potenciyalı Puasson teńlemesinen anıqlanadı.Qatlam shegarasınıń halı, izbe- iz jaqınlasıw sanlı metodı menen anıqlaw múmkin. Tok aǵımının’ artıwı, yamasa soqqı ionizaciyasi, p-n ótiwdegi áhmiyetli mexanizm bolıp tabıladı.Tok agımınıń buzılıwı kernewi diodlardaǵi keri kernewdiń joqarǵı shegarasın anıqlaydı. Bunnan basqa optikalıq signallardıń soqqı mexanizmi, fotodiodlardaǵı sıyaqlı qublıslar bolıp ótedi. Júdá joqarı konsentraciyalarda tok aǵımınıń buzılıwı tunellik mexanizmniń payda bolıwına alıp keledi. .Arsenid galliyde soqqı ionizaciyası koeficiyenti kristal orientaciyasına baylanıslı.
References
И. В. Грехов, Ю.Н. Сережкин Лавинный пробой p-n перехода в полуповодниках.-Л.: ”Энергия”, 1980, 152c
Lundberg P. J., private communication.
Sze S.M., Gibboris G. Avalanche Breakdown Voltage of Abrupt and Linearly Graded p-n Junctions in Ge, Si, GaAs, and GaP, Appl. Phys, Lett., 8, 111 (1966)
Warner R.M., Avalanche Breakdown in Silicon Diffused Junctions,Solid State Elektron .15, 1303 (1972)
A. Goetzberger, W. ShockIey, Structure and Properties of Thin Films, ed. by C. A. Neugebauer et al., J. Wileya. Sons, New York, 1959, CTP. 298.
Коршунов Ф. П., Марченко И. Г. Особенности изменения температурной зависимости дифференциального сопротивления в области лавинного пробоя облученных кремниевых p-n переходов. //ФТП, 1983, т .17, в 12,с 2201 - 2203.
Коршунов Ф. П., Марченко И. Г., Лостовский С. Б. Влияние радиационных дефектов на лавинный прбой и свойства микроплазм кремниевых p-n пере- ходов. -Вкн.:Тез.докл. Х В сес. конф. по физике полупроводников. Минск, 1985, ч.3, с. 38-39.
Акимов П.В.,ГреховИ.В., Сережкин Ю. Н. Температурная завмсммость нап ряжения лавинного пробоя диодов,изготовленных из кремния с высоким со- держанием растворенного кислорода .//ФТП, 1975.т.9,в.4,с764-767.
Кузьмин В.А., Крюкова Н.Н., Кюрегян А. С. Об ударной ионизации глубоких уровней в полупроводниках. //ФТП.1974. т. 8,в. 5.с. 945-949.
Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М .Лавинно-пролетные диоды.М.,1968.480 с.
Кузьмин В.А .,Кюрегян А .С.Теория вольтамперной характеристики p+-i-n+-структуры из компенсированного полупроводника в режиме лавинного пробоя –радиотехн.и электрон.,1975.т.20.в.7.с.1449-1456.
БогородскийО.В.,ВоронцоваТ.П.,ЖгутоваО.С.идр .Исследование меха- низмов снижения напряжения пробоя кремниевых высоковольтных много- слойных структур.-ЖТФ,1985,т.55,в.7,с.1419-1425.
