КИНЕТИКА РЕЛАКСАЦИИ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В КРЕМНИИ Р-ТИПА КОМПЕНСИРОВАННОМ АТОМАМИ ФОСФОРА
Abstract
Обсуждается кинетика релаксации фотопроводимости нейтронно-легированного кремния р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-Si<B,P> и контрольном p-Si<B> релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о различной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, на основе изучения зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига.
References
Юнусов М.С. Физические явление в кремнии, легированном элементами платиновой группы. - Ташкент: Фан, 1983. – 80 с.
Кирюхин А.Д., Григорьев В.В., Зуев А.В., Зуев В.В., Королев Н.А. Форма сигналов нестационарной фотопроводимости в кремнии, легированном золотом или серой. ФТП. 2007. Т.41. Вып.3. С. 269-272
Karimov M., Makhkamov Sh., Makhmudov Sh.A., Muminov R.A., Rakhmatov A.Z., Sulaimanov A.A., Tursunov N.A. Peculiarities of influence of radiation defects on photoconductivity of silicon irradiated by fast neutrons. (Applied Solar Energy, Allerton Press, Inc., 2010) vol. 46 (4), pp. 298-300.
Sh.A. Makhkamov, M.Yu. Tashmetov, Sh.A. Makhmudov, A.K. Rafikov, A.A. Sulaimonov. Диффузия атомов примеси родия в кремнии для датчиков // FRANCE international conference: “Scientific approach to the modern education system" Part 10, 5th December, - Pp. -95-98.y 2022
M. Yu. Tashmetov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaymonov, A. K. Rafikov, B. Zh. Abdurayimov. Photosensors Based on Neutron Doped Silicon // ISSN 0003-701X, Applied Solar Energy, 2019, Vol. 55, No. 1, pp. 71–73.
Sh Makhmudov, A Sulaymonov, A Rafikov, G Xudayberganova. Study of after diffusion regions in highly doped silicon // International scientific journal Science and Innovation, ISSN: 2181-3337, V-1, №6, October 9, 2022, - Pp. -402-404. https://doi.org/10.5281/zenodo.7178339
Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н., Махмудов Ш.А., Сулаймонов А.А. Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния p-типа» // Известия вузов, Физика. – Томск. 2011. –Вып. 5 – С. 75-78.
M Karimov, Sh Makhkamov, NA Tursunov, Sh A Makhmudov, AA Sulaimonov. “The effect of fast neytrons on the electrophysical properties of nucler-doped p-silicon” // Russian Physics Journal 2011/10. vol 54. Pp589-593.
Сулаймонов А,А. Сулаймонова X.И. Терморезистор на основе компенсированного кремния. Proceedings of International Scientific Conference on Multidisciplinary Studies. Hosted online from Moscow, Russia.2023 вып 2 том 4ст 52-56.
Сулаймонов А,А. Сулаймонова X.И. Особенности нейтронной трансмутации легированного кремния. Proceedings of International Scientific Conference on Multidisciplinary Studies. Hosted online from Moscow, Russia.2023 вып 2 том 4 ст 57-61.
Сулаймонов А,А. Рафиков А.К.Детекторы ядерного излучения на основе нейтронно-легированного кремния. Proceedings of International Scientific Conference on Multidisciplinary Studies. Hosted online from Moscow, Russia.2023 вып 2 том 4ст 62-66.
